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학술저널
저자정보
Yoo, Kee-Youn (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Seoul National University of Science & Technology) Yoon, Hyunsik (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Seoul National University of Science & Technology)
저널정보
한국화학공학회 화학공학 화학공학 제55권 제2호
발행연도
2017.1
수록면
275 - 278 (4page)

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Heterogeneous semiconductor composites have been widely used to establish high-performance microelectronic or optoelectronic devices. During a deposition of silicon atoms on silicon/germanium compound surfaces, germanium (Ge) atoms are segregated from the substrate to the surface and are mixed in incoming a silicon layer. To suppress Ge segregation to obtain the interface sharpness between silicon layers and silicon/germanium composite layers, approaches have used silicon hydride gas species. The hydrogen atoms can play a role of inhibitors of silicon/germanium exchange. However, there are few kinetic models to explain the hydrogen effects. We propose using segregation probability which is affected by hydrogen atoms covering substrate surfaces. We derived the model to predict the segregation probability as well as the profile of Ge fraction through layers by using chemical reactions during silicon deposition.

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