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자료유형
학술저널
저자정보
조보민 (조선대학교 화학과) 엄성용 (조선대학교 화학과) 진성훈 (조선대학교 화학과) 최태은 (조선대학교 화학과) 양진석 (조선대학교 화학과) 조성동 (조선대학교 화학과) 손홍래 (조선대학교 화학과)
저널정보
조선대학교 기초과학연구원 조선자연과학논문집 조선자연과학논문집 제3권 제2호
발행연도
2010.1
수록면
117 - 121 (5page)

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Silicon quantum dots base on photoluminescent porous silicon were prepared from an electrochemical etching of n-type silicon wafer (boron-dopped<100> orientation, resistivity of 1~10 ${\Omega}-cm$) and used as a alcohol sensor. Silicon quantum dots displayed an emission band at the wavelength of 675 nm with an excitation wavelength of 480 nm. Photoluminescence of silicon quantum dots was quenched in the presence of alcohol vapors such as methanol, ethanol, and isopropanol. Quenching efficiencies of 21.5, 32.5, and 45.8% were obtained for isopropanol, ethanol, and methanol, respectively. A linear relationship was obtained between quenching efficiencies and vapor pressure of analytes used. Quenching photoluminescence was recovered upon introducing of fresh air after the detection of alcohol. This provides easy fabrication of alcohol sensor based on porous silicon.
#Silicon #Quantum Dots #Photoluminescence #Alcohol sensor

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