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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.1
- 수록면
- 85 - 89 (5page)
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Temperature uniformity of a wafer in a semiconductor process is a very important factor that determines the overall yield. Therefore, it is very important to confirm the temperature characteristics of the chuck surface on which the wafer is lifted. The temperature characteristics of the chuck depend on the external heat source, the shape of the cooling channel inside the chuck, the material on the chuck surface, and so on. In this study, CFD confirms the change of temperature characteristics according to the stacking order of ceramic materials and inner coolant path on the chuck surface. Finally this study suggests the best cooling condition of electrostatic chuck.
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K. Asano / 2002 / Fundamental Study of an electrostatic chuck for silicon wafer handling / IEEE TRANSACTION ON INDUSTRY APPLICATION 38(3)
L.D. Hartsough / 1993 / Electrostatic Wafer Holding / Solid state tech 35(1):87~90
S. A. Khomyakov / 1979 / Attraction and Accuracy Characteristic of Electrostatic Chucks / Machines and Tooling 50(3):24~24
Tretheway, D. / 1996 / Modeling of Heat Transport and Wafer Healing Effects during Plasma Etching / J. Electrochem. Soc 143:3674~3680
Suhas V. Patankar / 1980 / Numerical Heat Transfer and Fluid Flow / McGrow-Hill Book Company
L.D. Hartsough / 1993 / Electrostatic Wafer Holding / Solid state tech 35(1):87~90
S. A. Khomyakov / 1979 / Attraction and Accuracy Characteristic of Electrostatic Chucks / Machines and Tooling 50(3):24~24
Tretheway, D. / 1996 / Modeling of Heat Transport and Wafer Healing Effects during Plasma Etching / J. Electrochem. Soc 143:3674~3680
Suhas V. Patankar / 1980 / Numerical Heat Transfer and Fluid Flow / McGrow-Hill Book Company
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