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저자정보
우동곤 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) 김정환 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) 김정식 (한양대학교 공과대학 나노반도체공학과) 홍성철 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) 안진호 (한양대학교 공과대학 신소재공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제15권 제3호
발행연도
2016.1
수록면
35 - 39 (5page)

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Extreme Ultraviolet Lithography (EUVL) is the most promising technique in the field of Next Generation Lithography (NGL) expected to be used in the 1x-nm node for High Volume Manufacturing (HVM). But there exits remaining challenges for proper defect control of EUV mask. It was considered development of EUV pellicle for protecting the EUV mask has many obstacles due to high extinction coefficient of EUV wavelength. Recently researchers in the industry of semiconductor argue about the necessity of EUV pellicle and make effort to achieve it. In this paper, we investigated that the relationship between imaging performance and transmittance of EUV pellicle quantitatively. We made in-house EUV pellicle and analyzed its imaging performance of the dependence of pellicle transmittance using Coherent Scattering Microscopy(CSM). The imaging performance of EUV mask with pellicle is affected by its transmittance and we found that the performance of EUV mask improved with higher transmittance pellicle.
#EUVL #coherent scattering microscopy #CSM) #pellicle #critical dimension #CD) #normalized image log slope #NILS) #image contrast

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참고문헌 (15)

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N. Okai / 2015 / Methodology for determining CD-SEM measurement condition of sub-20nm resist patterns for 0.33NA EUV lithography / Proc. SPIE 9424 google schola R. Hudyma / 2002 / An Overview of Optical Systems for 30 nm Resolution Lithography at EUV Wavelengths / Proc. SPIE 4832:137~148 google schola D. Wack / 2010 / Mask Inspection Technologies for 22nm HP and beyond / Proc. of SPIE 7636 google schola L. Scaccabarozzi / 2013 / Investigation of EUV pellicle feasibility / Proc. of SPIE 8679 google schola C. Zoldesi / 2014 / Progress on EUV pellicle development, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography V / Proc. SPIE 9048 google schola

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