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학술저널
저자정보
김재필 (기가레인) 황우진 (기가레인) 신유식 (기가레인) 남진택 (기가레인) 김홍민 (명지대학교) 김창은 (명지대학교)
저널정보
대한안전경영과학회 대한안전경영과학회지 대한안전경영과학회지 제17권 제3호
발행연도
2015.1
수록면
355 - 362 (8page)

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There has been an increase of using Bosch Process to fabricate MEMS Device, TSV, Power chip for straight etching profile. Essentially, the interest of TSV technology is rapidly floated, accordingly the demand of Bosch Process is able to hold the prominent position for straight etching of Si or another wafers. Recently, the process to prevent under etching or over etching using EPD equipment is widely used for improvement of mechanical, electrical properties of devices. As an EPD device, the OES is widely used to find accurate end point of etching. However, it is difficult to maintain the light source from view port of chamber because of contamination caused by ion conflict and byproducts in the chamber. In this study, we adapted the SPOES to avoid lose of signal and detect less open ratio under 1 %. We use 12inch Si wafer and execute the through etching 500um of thickness. Furthermore, to get the clear EPD data, we developed an algorithm to only receive the etching part without deposition part. The results showed possible to find End Point of under 1 % of open ratio etching process.
#Bosch Process #EPD #OES #SPOES #Etching

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참고문헌 (9)

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김대곤 / 2006 / 3D 패키지용 관통 전극 형성에 관한 연구 / 대한용접접합학회지 24(2):64~70 dbpia M. Puech / 2008 / Fabrication of 3D Packaging TSV using DRIE google schola 백규하 / 2009 / TSV형성을 위한 DRIE 기술 / 한국정밀공학회지 26(12):32~40 dbpia S. Hur / 2010 / Fabrication of two-chip type capacitive MEMS microphone / KSME :4300~4305 google schola W. J. Hwang / 2011 / Development of Micro-Heaters with Optimized Temperature Compensation Design for Gas Sensors :2580~2591 google schola

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