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저자정보
김현종 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 문지현 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 조준식 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 박상현 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 윤경훈 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 송진수 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 오병성 (충남대학교 물리학과) 이정철 (한국에너지기술연구원 태양광연구단)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제20권 제6호
발행연도
2010.1
수록면
289 - 293 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2013

고효율 태양전지를 위한 실리콘 양자점 초격자 박막 제조 및 특성 분석
김현종 물리학과 2013.01 학위논문

2010

실리콘과 탄소 동시 스퍼터링에 의한 실리콘 양자점 초격자 박막 제조 및 특성 분석
김현종 ,  문지현 ,  조준식 외 5명 한국재료학회지 2010.01 학술저널

2009

실리콘 양자점 초격자 박막의 두께에 따른 구조적, 광학적 특성 분석
김현종 ,  문지현 ,  박상현 외 5명 한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집 2009.11 학술대회자료
SiC 매트릭스를 이용한 실리콘 양자점 초격자 박막 제조
김현종 ,  문지현 ,  조준식 외 7명 한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집 2009.06 학술대회자료

초록· 키워드

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Silicon quantum dots (Si QDs) in a superlattice for high efficiency tandem solar cells were fabricated by magnetron rf sputtering and their characteristics were investigated. SiC/$Si_{1-x}C_x$ superlattices were deposited by co-sputtering of Si and C targets and annealed at $1000^{\circ}C$ for 20 minutes in a nitrogen atmosphere. The Si QDs in Si-rich layers were verified by transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffraction. The size of the QDs was observed to be 3-6 nm through high resolution TEM. Some crystal Si and -SiC peaks were clearly observed in the grazing incident X-ray diffractogram. Raman spectroscopy in the annealed sample showed a sharp peak at $516\;cm^{-1}$ which is an indication of Si QDs. Based on the Raman shift the size of the QD was estimated to be 4-6 nm. The volume fraction of Si crystals was calculated to be about 33%. The change of the FT-IR absorption spectrum from a Gaussian shape to a Lorentzian shape also confirmed the phase transition from an amorphous phase before annealing to a crystalline phase after annealing. The optical absorption coefficient also decreased, but the optical band gap increased from 1.5 eV to 2.1 eV after annealing. Therefore, it is expected that the optical energy gap of the QDs can be controlled with growth and annealing conditions.
#quantum dots #superlattice #silicon #silicon carbide #solar cells

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