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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
주승현 (고려대학교, 신소재공학과) 이성래 (고려대학교, 신소재공학과) 조병원 (한국과학기술연구원, 이차전지연구센터) 조원일 (한국과학기술연구원, 이차전지연구센터)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제19권 제2호
발행연도
2009.1
수록면
73 - 78 (6page)

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This study investigated the dependence of the various sputtering conditions (Ar pressure: $2{\sim}10\;mTorr$, Power: $50{\sim}150\;W$) and thickness ($50{\sim}1200\;nm$) of Si thin film on the electrochemical properties, microstructural properties and the capacity fading of a Si thin film anode. A Si layer and a Ti buffer layer were deposited on Copper foil by RF-magnetron sputtering. At 10 mTorr, the 50 W sample showed the best capacity of 3323 mAh/g, while the 100 W sample showed the best capacity retention of 91.7%, also at 10 mTorr. The initial capacities and capacity retention in the samples apart from the 50W sample at 10 mTorr were enhanced as the Ar pressure and power increased. This was considered to be related to the change of the microstructure and the surface morphology by various sputtering conditions. In addition, thinner Si film anodes showed better cycling performance. This phenomenon is caused by the structural stress and peeling off of the Si layer by the high volume change of Si during the charge/discharge process.

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