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저자정보
Nakamoto, Masayuki (Research Institute of Electronics, Shizuoka University) Sato, Genta (Research Institute of Electronics, Shizuoka University) Shiratori, Kohji (Research Institute of Electronics, Shizuoka University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
발행연도
2007.1
수록면
1,049 - 1,052 (4page)

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Extremely sharp and uniform Transfer Mold FEAs with thin film low work function TiN emitter material have been fabricated by controlling the thickness of the coated emitter materials to realize high efficient, high reliable and low-cost vacuum nanoelectronic devices..Their tip radii are 8.3-13.8 nm. Turn-on electric fields of the Ni FEAs and TiN-FEAs resulted in the low electric field values of $31.6\;V/{\mu}m$ and $44.2V/{\mu}m$,respectively, at the short emitter/anode distance: less than $30\;{\mu}m$, which are lower than those of conventional FE As such as Spindt type FEAs and carbon nan otube FEAs The Transfer Metal Mold fabrication method is one of the best methods of changing emit ter materials with sharp and uniform emit ter shapes.

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