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저자정보
Kwon, Jang-Yeon (Display Device & Material Lab, Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Jung, Ji-Sim (Display Device & Material Lab, Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Park, Kyung-Bae (Display Device & Material Lab, Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Kim, Jong-Man (Display Device & Material Lab, Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Lim, Hyuck (Display Device & Material Lab, Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Lee, Sang-Yoon (Display Device & Material Lab, Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Kim, Jong-Min (Display Device & Material Lab, Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Noguchi, Takashi (Ryukyu University) Hur, Ji-Ho (Dept. of Information Display, Kyung Hee University) Jang, Jin (Dept. of Information Display, Kyung Hee University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
발행연도
2006.1
수록면
309 - 313 (5page)

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We demonstrated 2.2inch qqVGA AMOLED display drived by ultra low temperature poly-Si (ULTPS) TFT not transferred but direct fabricated below $200^{\circ}C$. Si channel was crystallized by decreasing impurity concentration even at room temperature. Gate insulator with a breakdown field exceeding 8 MV/cm was realized by Inductively coupled plasma - CVD. In order to reduce stress of plastic, organic film was coated as inter-dielectric and passivation layers. Finally, ULTPS TFT of which mobility is over $20cm^2/Vsec$ was fabricated on transparent plastic substrate and drived OLED display successfully.

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