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저자정보
Kim, Hyun-Jae (Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces) Diep, Bui Van (Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces) Bonnassieux, Yvan (Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces) Djeridane, Yassine (Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces) Abramov, Alexey (Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces) Pere, Roca i Cabarrocas (Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
발행연도
2005.1
수록면
1,025 - 1,028 (4page)

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Microcrystalline Si (${\mu}c-Si$) TFTs were fabricated using a conventional bottom gate amorphous Si (a-Si) process. A unique ${\mu}c-Si$ deposition technique and TFT architecture was proposed to enhance the reliability of the TFTs. This three-mask TFT fabrication process is comparable with existing a-Si TFT procesess. In order to suppress nucleation at the bottom interface of Si, before deposition of the ${\mu}c-Si$ an $N_2$ plasma passivation was conducted. A typical transfer characteristic of the TFTs shows a low off-current with a value of less than 1 pA and a sub threshold slop of 0.7 V/dec. The DC stress was applied to verify the use of ${\mu}c-Si$ TFTs for AMOLED displays. After 10,000 s of application of the stress, the off-current was even lowered and sub-threshold slope variation was less than 5%. For AMOLED displays, OLED pixel simulation was performed. A pixel current of 13 ${\mu}A$ was achieved with $V_{data}$ of 10 V. After the simulation, a linear equation for the pixel current was suggested.

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