Hafnium Oxide Nano-Film Deposited on Poly-Si by Atomic Layer Deposition

Wei, Hung-Wen; Ting, Hung-Che; Chang, Chung-Shu

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Wei, Hung-Wen (Electronics Research & Service Organization, Industrial Technology Research Institute) Ting, Hung-Che (Electronics Research & Service Organization, Industrial Technology Research Institute) Chang, Chung-Shu (Electronics Research & Service Organization, Industrial Technology Research Institute)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I

발행연도: 2005.1

수록면: 496 - 498 (3page)

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We reported that high dielectric hafnium oxide nano-film deposited by thermal atomic layer deposition on the poly-silicon film (poly-Si). The poly -Si film was produced by plasma enhanced chemical vapor deposition and excimer laser annealing. We used the hafniu m chloride ($HfCl_4$) and water as the precursors and analyzed the hafnium oxide film by transmission electron microscope and secondary ion mass spectrometer. Hafnium oxide produced by the ALD method showed very good coverage on the rough surface of poly-Si film. While deposited with 200 cycles, these hafnium oxide films revealed a relatively smooth surface and good uniformity, but the cumulative roughness produced by the incomplete reaction was apparent when the amount of deposition cycle increased to 600 cycles.

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이 논문의 저자 정보

Wei, Hung-Wen

소속기관 Electronics Research & Service Organization, Industrial Technology Research Institute

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 1 이용수 0

Ting, Hung-Che

소속기관 OLED Technology Div., AU Optronics Corp.

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 2 이용수 10

Chang, Chung-Shu

소속기관 Electronics Research & Service Organization, Industrial Technology Research Institute

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 2 이용수 0

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