Characteristics of Hafnium Silicate Films Deposited on Si by Atomic Layer Deposition Process

이정찬; 김광숙; 정석원; 노용한

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이정찬 김광숙 정석원 노용한

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제12권 제3호

발행연도: 2011.1

수록면: 127 - 130 (4page)

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We investigated the effects of O_2 annealing (i.e., temperature and time) on the characteristics of hafnium silicate (HfSi_xO_y) films deposited on a Si substrate by atomic layer deposition process (ALD). We found that the post deposition annealing under oxidizing ambient causes the oxidation of residual Hf metal components, resulting in the improvement of electrical characteristics (e.g., hysteresis window and leakage current are decreased). In addition, we observed the annealing temperature is more important than the annealing time for post deposition annealing. Based on these observations, we suggest that post deposition annealing under oxidizing ambient is necessary to improve the electrical characteristics of HfSi_xO_y films deposited by ALD. However, the annealing temperature has to be carefully controlled to minimize the regrowth of interfacial oxide, which degrades the value of equivalent oxide thickness.

#Metal-oxide-semiconductor capacitor #Atomic layer deposition #high-k #HfSi_xO_y #Interfacial layer regrowth #O_2 annealing

참고문헌 (15)

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G. D. Wilk / 1999 / / Appl. Phys. Lett 74 (2854)

G. D. Wilk / 2000 / / J. Appl. Phys 87 (484)

G. D. Wilk / 2001 / / J. Appl. Phys 89 (5243)

H. D. Kim / / 22 (1347)

H. Watanabe / 2004 / / Appl. Phys. Lett 85 (449)

이 논문의 저자 정보

이정찬

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정석원

소속기관 한국전기전자재료학회

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논문수 4 이용수 25

노용한

소속기관 한국전기전자재료학회

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