Triple Layer Passivation for Organic Thin-Film Transistors

Ryoo, Ki-Hyun; Lee, Cheon-An; Jin, Sung-Hun; Jung, Keum-Dong; Park, Chang-Bum; Lee, Jong-Duk; Shin, Hyung-Cheol; Park, Byung-Gook

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저자정보: Ryoo, Ki-Hyun (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Lee, Cheon-An (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Jin, Sung-Hun (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Jung, Keum-Dong (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Park, Chang-Bum (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Lee, Jong-Duk (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Shin, Hyung-Cheol (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Park, Byung-Gook (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II

발행연도: 2005.1

수록면: 1,310 - 1,312 (3page)

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Passivation of organic thin-film transistors (OTFTs) using organic and metal thin-film was presented. Parylene-C and titanium were used as an organic and metal layer, respectively. With the proposed passivation method the degradation of electric parameters of OTFTs was relieved compared with non-passivated devices. Several electric parameters such as on/off current, field-effect mobility, and threshold voltage were shown.

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