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Kim, Ki-Hyung (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University, New Functional Materials and Device Lab, Han Yang University) Kim, Eun-Hyun (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) Ku, Yu-Mi (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) Park, Seong-Jin (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) Uchiike, Heiju (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) Kim, Chae-Ok (New Functional Materials and Device Lab, Han Yang University) Jang, Jin (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
발행연도
2005.1
수록면
310 - 313 (4page)

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CW laser dopant activation (CLDA) is suggested as an alternative to conventional thermal annealing. The sheet resistance of the ion doped poly-Si after CLDA is sufficiently low compared to the value measured after thermal annealing. The surface damage due to ion doping on the poly-Si can be recovered while CW laser scan for dopant activation. Therefore, the CLDA can be applied to LTPS processing.

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