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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김동근 (전남대학교 금속공학과) 이형종 (전남대학교 물리학과) 임기영 (전북대학교 물리학과) 장성주 (전북대학교 물리학과) 장성주 (동신대학교 물리학과) 김종빈 (조선대학교 전자공학과) 이병택 (전남대학교 금속공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제4권 제5호
발행연도
1994.1
수록면
600 - 607 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1994

액상에피택시 방법에 의한 InP기판상의 GaAs 이종접합 박막 성장
김동근 ,  이형종 ,  임기영 외 4명 한국재료학회지 1994.01 학술저널

1993

InP 기판 상의 GaAs 박막의 액상에피택셜 성장 및 특성분석
김동근 ,  이병택 한국재료학회 학술발표대회 1993.01 학술대회자료

초록· 키워드

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LPE방법을 이용하여 InP기판 상에 GaAs이종접합 박막을 최초로 성장하였으며 제반 성장조건들이 박막특성에 미치는 영향을 NDIC광학현미경, SEM, TEM 및 DCXRD 등을 이용하여 조사하였다. 적정 LPE성장온도는 $720^{\circ}C$(냉각속도 $0.5^{\circ}C$/min.)이었으며 성장된 GaAs 박막의 표면형상은 융액 균질화 처리 시 기판을 InP cover웨이퍼로 보호한 경우가 In/InP 융액으로 보호한 경우에 비해 현저히 개선되었다. 박막 성장 시 Ga성장융액 내에 0.005wt% 정도의 Se을 첨가함으로서 기판의 열융해(meltback)현상이 억제되었고 박막의 표면 거칠기도 현저히 개선되었다. 미세 격자가 식각된 InP기판 상에 성장된 GaAs 박막의 DCXRD측정결과 미세 격자 패턴이 없는 기판 위에 성장된 시료보다 결정성이 더욱 향상되었으며 이는 TEM 관찰결과 GaAs/InP계면에서 생성된 전위들 중 일부가 상호반응에 의하여 미세격자 영역 내에 국한되기 때문으로 판단되었다.

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