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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 575 - 579 (5page)
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본 연구에서는 nucleation layer의 표면 거칠기가 에피층의 품질에 미치는 영향을 고찰하기 위해 결정성 및 광학적 특성에 미치는 영향을 고찰하기 위해 GaAs 기판 위에 InP를 성장하였다. 이를 위해, 400℃에서 EDMIn의 유량과 성장시간을 변화시키면서 InP nucleation layer를 성장한 후 620℃에서 10분 동안 열처리하고 550℃에서 에피층을 성장하였다. 분석 결과, 에피층의 결정성 및 광학적 특성은 InP nucleation layer의 표면 거칠기가 작아질수록 우수해짐을 알 수 있었다. 본 연구에서는 2.3 μmole/min의 EDMIn 유량으로 12분 동안 nucleation layer를 성장하였을 경우 표면 거칠기가 가장 작았고, 이후 연속하여 성장된 에피층의 결정성 및 광학적 특성은 InP 기판 위에 성장된 InP 에피층의 특성과도 비교될 정도로 우수하여, (200) x-ray 회절피크와 4.4 K photoluminescence의 band edge 근방 피크의 반치폭은 각각 60 arcmin과 6.33 meV이었다.
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