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자료유형
학술저널
저자정보
이종무 (인하대학교 금속공학과, 삼성전자) 이강욱 (인하대학교 금속공학과, 삼성전자) 박선후 (인하대학교 금속공학과, 삼성전자)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제1권 제4호
발행연도
1991.1
수록면
177 - 183 (7page)

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$SiH_4$환원에 의한 선택성 CVD-W 공정에서 증착시간과 증착압력에 따른 W막 특성의 변화를 조사하였다. $300^{\circ}C$, 100mtorr이하에서 W막이 Si기판 전면에 증착되는 데에 약 30초의 시간이 걸렸고, 증착시간에 따라 막 두께는 초기에는 직선적으로, 나중에는 포물선적으로 증가하였으며, 면저항은 초기에는 급히, 나중에는 서서히 감소하는 경향을 나타내었다. 50-300mtorr의 압력범위에서 압력의 증가에 따라 결정립도(grain size)는 별로 변하지 않았으나 결정립계(grain boundary)의 윤곽이 불확실해지는 경향을 나타내었다. 또한 이 압력범위에서는 ${\alpha}-W$만 나타날 뿐 ${\beta}-W$의존재는 발견되지 않았다. 증차압력의 증가에 따라 W막의 증착속도가 증가하고, 비저항도 증가하는 경향을 보였다. AES 분석결과에 의하면, 증착압력온 Si/W의 조성비나 W/Si계면에서의 실리사이드화에는 큰 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다.

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