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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
최인훈 (고려대학교 재료공학과) 이종민 (고려대학교 재료공학과) 신동석 (고려대학교 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제8권 제5호
발행연도
1998.1
수록면
419 - 423 (5page)

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매립형 InGaAnP/InP 레이저 다이오드 제작을 위한 질량 이동 현상의 최적화에 대한 연구를 수행하였다. Double heterostructure 레이저 다이오드 구조의 1차 성장은 액상 에피 성장 장치를 이용하였으며, 메사 에칭하였다. 활성층을 [110] 방향으로 선택적으로 에칭 한 후, 액상 에피 성장 장치를 이용하여 질량 이동 현상을 발생시켜 매립형 구조를 형성시켰다. 질량 이동 현상의 임계온도는 40분간 유지시켰을 때 $670^{\circ}C$로 나타났으며 재현성 있게 질량 이동 현상이 발생하였다. 질량 이동 현상에 의해 성장된 층의 폭은 온도증가에 따라 약간 증가하였다.

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