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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1997.1
- 수록면
- 137 - 139 (3page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
1997
1.3 ㎛ InGaAsP / InP 양자우물 구조 레이저 다이오드의 고온동작 특성 ( High Temperature Operation of 1.3㎛ InGaAsP Strained Multi-Quantum Well Laser Diode )
양민
,
김종석
,
조인성
외 6명
대한전자공학회 학술대회
1997.01
학술대회자료
1.3 InGaAsP / InP 양자우물구조 레이저 다이오드의 고온동작특성 ( High Temperature Operation of 1.3 InGaAsP Strained Multi-Quantum Well Laser Diode )
양민
,
김종석
,
조인성
외 6명
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1997.01
학술대회자료
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1.3 InGaAsP / InP 양자우물구조 레이저 다이오드의 고온동작특성 ( High Temperature Operation of 1.3 InGaAsP Strained Multi-Quantum Well Laser Diode )
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1997 .01
-
1.3μm InGaAsP / InP 레이저 다이오드의 온도 특성의 Strain 에 대한 의존성 조사 ( The Influence of Strain on the Characteristic Temperature of 1.3 InGaAsP / InGaAsP Laser Structure )
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1998 .01
-
1.3 ㎛ InGaAsP / InP 레이저 다이오드의 온도 특성의 Strain에 대한 의존성 조사 ( The Influence of strain on the Characteristic Temperature of 1.3㎛ InGaAsP / InGaAsP Laser Structure )
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
1.3μ InGaAsP/InP Strained Multi-Quantum Well Lasers with Short Turn-on Delay Time Operation at High Temperature due to an n-Type Modulation-doped Effect
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
-
InGaAsP / InP 다중양자우물의 서로섞임에서 확산계수의 결정 ( Determination of the Diffusion Coefficient in InGaAsP / InP Multi-Quantum-Well Intermixing )
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
InGaAsP / InP 다중양자우물의 서로섞임에서 확산계수의 결정 ( Determination of the Diffusion coefficient in InGaAsP / InP Multi-Quantum-Well Intermixing )
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1998 .01
-
1.3-μm InGaAsP Multiple Quantum Well Laser on ( 211 ) InP Substrate
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
-
1.55λm InGaAsP / InGaAsP 다중양자우물구조 전계흡수형 광변조기에서 캐리어 수송현상이 소광특성에 미치는 영향 ( Dependence of Extinction Ratio on the Carrier Transport in 1.55λm InGaAsP / InGaAsP Multiple-Quantum-Wee Electroabsorption Modulators )
전자공학회논문지-SD
2000 .09
-
1.5 ㎛ InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 레이저의 상온 연속발진 특성 분석
한국통신학회 기타 간행물
2004 .11
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1.55μm 파장의 InGaAsP / InP DH 레이저의 제작 ( Fabrication of 1.55μm Wavelength InGaAsP / InP Double Heterostructure Laser )
대한전자공학회 학술대회
1986 .01
-
광통신 모듈용 분포 귀환형 InGaAsP/InP 레이저 다이오드 제작 및 소자 특성평가
반도체디스플레이기술학회지
2011 .01
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InGaAsP / InP 광병렬 기억 장치 ( InGaAsP / InP Photonic Parallel Memory )
대한전자공학회 학술대회
1991 .01
-
선택 영역 MOCVD 성장법을 이용한 1.3㎛ Strained InGaAsP / InGaAsP MQW SSC-LD 제작 ( Selective Area MOCVD Growth for 1.3㎛ Strained InGaAsP / InGaAsP MQW SSC-LD )
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
횡방향 p-n 접합으로 누설전류를 줄인 1.3mm InGaAsP/InP Ridge Waveguide 레이저 다이오드의 설계 ( Design of 1.3mm InGaAsP/InP Ridge Waveguide Laser Diode With Reduced Leakage Current Using Lateral p-n Junctions )
전자공학회논문지-A
1992 .12
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고속직접변조를 위한 1.55μm InGaAsP/InGaAsP SL-MQW DFB-LD 의 양자우물구조의 최적화 ( Optimization of Multiple-quantum-well structures in 1.55μm InGaAsP/InGaAsP SL-MQW DFB-LD for high-speed direct modulation )
전자공학회논문지-D
1997 .03
-
Fabrication and Characterization of 10Gb/s InGaAsP / InGaAsP MQW DFB Laser Diode
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
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Dependence of High-Speed Properties on InGaAsP-InGaAsP MQW ( Multiple-Quantum -Well ) Structures in 1.55 μm λ/4-Shifted DFB Lasers
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
-
1.55um 파장의 InGaAsP/InP DH 레이저의 제작
대한전자공학회 학술대회
1986 .06
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High Reflective Coating에 의한 InGaAsP 반도체 레이저의 특성 변화 ( Characteristic Dependences on High reflective Coating in InGaAsP Laser Diode )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
-
High Reflective Coating에 의한 InGaAsP 반도체 레이저의 특성 변화 ( Characteristic Dependences on High Reflective Coating in InGaAsP Laser Diode )
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1993 .01
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