1.3 ㎛ InGaAsP / InP 레이저 다이오드의 온도 특성의 Strain에 대한 의존성 조사 ( The Influence of strain on the Characteristic Temperature of 1.3㎛ InGaAsP / InGaAsP Laser Structure )

이정석 ,  지정근 ,  계용찬 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

1.3 ㎛ InGaAsP / InP 양자우물 구조 레이저 다이오드의 고온동작 특성 ( High Temperature Operation of 1.3㎛ InGaAsP Strained Multi-Quantum Well Laser Diode )

양민 ,  김종석 ,  조인성 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

1.3 InGaAsP / InP 양자우물구조 레이저 다이오드의 고온동작특성 ( High Temperature Operation of 1.3 InGaAsP Strained Multi-Quantum Well Laser Diode )

양민 ,  김종석 ,  조인성 외 6명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1997 .01

InGaAsP / InP 광병렬 기억 장치 ( InGaAsP / InP Photonic Parallel Memory )

이두환 ,  변상기 ,  정지현 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

1.55μm 파장의 InGaAsP / InP DH 레이저의 제작 ( Fabrication of 1.55μm Wavelength InGaAsP / InP Double Heterostructure Laser )

김홍구 ,  심종인 ,  오광룡 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

Strain 보상층을 이용한 편파 무의존성 1.55μm InGaAsP / InGaAsP MQW EA-MOD의 구조 설계 ( Designing a polarization insensitive 1.55μm InGaAsP / InGaAsP MQW EA-MOD using strain compensating layer )

정구호 ,  심종인

한국통신학회 기타 간행물

1997 .01

Strain 보상층을 이용한 편파 무의존성 1.55mm InGaAsP / InGaAsP AQW EA-MOD의 구조 설계 ( Designing a Polarization Insensitive 1.55mm InGaAsP/InGaAsP MQW EA-MOD Using Strain Compensating Layer )

정구호 ,  심종인

대한전자공학회 기타 간행물

1997 .01

1.3-μm InGaAsP Multiple Quantum Well Laser on ( 211 ) InP Substrate

T. Tsuchiya ,  Y. Okuno ,  A. Niwa 외 1명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

1.55λm InGaAsP / InGaAsP 다중양자우물구조 전계흡수형 광변조기에서 캐리어 수송현상이 소광특성에 미치는 영향 ( Dependence of Extinction Ratio on the Carrier Transport in 1.55λm InGaAsP / InGaAsP Multiple-Quantum-Wee Electroabsorption Modulators )

심종인 ,  어영선

전자공학회논문지-SD

2000 .09

1.55um 파장의 InGaAsP/InP DH 레이저의 제작

김홍구 ,  심종인 ,  오광룡 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .06

InGaAsP / InGaAsP MQW Electro-Absorption Modulator with a High Modulation Depth

박원규 ,  강병권 ,  박형순 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Dependence of High-Speed Properties on InGaAsP-InGaAsP MQW ( Multiple-Quantum -Well ) Structures in 1.55 μm λ/4-Shifted DFB Lasers

Jong In Shim ,  Tae Il Kim

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

Fabrication and Characterization of 10Gb/s InGaAsP / InGaAsP MQW DFB Laser Diode

김형문 ,  김정수 ,  오대곤 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Modulator Integrated DFB Laser with Butt-Coupled Strain Compensated InGaAsP / InGaAsP MQW Absorption Layers

Seung Won Lee ,  Eun Soo Nam ,  Dae Kon Oh 외 2명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

InGaAsP / InP 다중양자우물의 서로섞임에서 확산계수의 결정 ( Determination of the Diffusion coefficient in InGaAsP / InP Multi-Quantum-Well Intermixing )

시상기 ,  윤경훈 ,  여덕호 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

InGaAsP / InP 다중양자우물의 서로섞임에서 확산계수의 결정 ( Determination of the Diffusion Coefficient in InGaAsP / InP Multi-Quantum-Well Intermixing )

시상기 ,  윤경훈 ,  여덕호 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

선택 영역 MOCVD 성장법을 이용한 1.3 Strained InGaAsP / InGaAsP MQW SSC-LD 제작 ( Selective area MOCVD growth for 1.3 strained InGaAsP / InGaAsP MQW SSC-LD )

김태진 ,  지정근 ,  이정석 외 4명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

High Reflective Coating에 의한 InGaAsP 반도체 레이저의 특성 변화 ( Characteristic Dependences on High Reflective Coating in InGaAsP Laser Diode )

오윤경 ,  정현돈 ,  박게오르기 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01

High Reflective Coating에 의한 InGaAsP 반도체 레이저의 특성 변화 ( Characteristic Dependences on High reflective Coating in InGaAsP Laser Diode )

오윤경 ,  정현돈 ,  박게오르기 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

1.55μm InGaAsP / InGaAsP MQW EA-MOD에서 SCH 구조에 따른 소광비 의존성 ( Dependences of the extinction ratio on the SCH structure in 1.55μm InGaAsP / InGaAsP MQW EA-MOD )

김희곤 ,  심종인 ,  김형래

한국통신학회 기타 간행물

1997 .01