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학술저널
저자정보
김영식 (LG 전자기술원) 장성수 (LG 전자기술원) 이선영 (LG 전자기술원) 진원혁 (LG 전자기술원) 조일주 (LG 전자기술원) 남효진 (LG 전자기술원) 부종욱 (LG 전자기술원)
저널정보
정보저장시스템학회 정보저장시스템학회논문집 정보저장시스템학회논문집 제2권 제2호
발행연도
2006.1
수록면
96 - 99 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2006

Thermo-piezoelectric $Si_3N_4$ cantilever array on a CMOS circuit for probe-based data storage using wafer-level transfer method
김영식 ,  장성수 ,  이선영 외 4명 정보저장시스템학회논문집 2006.01 학술저널

2005

Thermo-piezoelectric $Si_3N_4$ cantilever array on n CMOS circuit for probe-based data storage using wafer-level transfer method
김영식 ,  장성수 ,  이선영 외 4명 정보저장시스템학회 추계학술대회논문집 2005.01 학술대회자료

초록· 키워드

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In this research, a wafer-level transfer method of cantilever away on a conventional CMOS circuit has been developed for high density probe-based data storage. The transferred cantilevers were silicon nitride ($Si_3N_4$) cantilevers integrated with poly silicon heaters and piezoelectric sensors, called thermo-piezoelectric $Si_3N_4$ cantilevers. In this process, we did not use a SOI wafer but a conventional p-type wafer for the fabrication of the thermo-piezoelectric $Si_3N_4$ cantilever arrays. Furthermore, we have developed a very simple transfer process, requiring only one step of cantilever transfer process for the integration of the CMOS wafer and cantilevers. Using this process, we have fabricated a single thermo-piezoelectric $Si_3N_4$ cantilever, and recorded 65nm data bits on a PMMA film and confirmed a charge signal at 5nm of cantilever deflection. And we have successfully applied this method to transfer 34 by 34 thermo-piezoelectric $Si_3N_4$ cantilever arrays on a CMOS wafer. We obtained reading signals from one of the cantilevers.
#Thermo-piezoelectric $Si_3N_4$ cantilever #PZT #probe-based data storage #wafer level transfer

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