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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
조남인 (선문대학교 전자정보통신공학부) 김민철 (선문대학교 전자정보통신공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체장비학회지 한국반도체장비학회지 제2권 제4호
발행연도
2003.1
수록면
31 - 35 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2003

열교환 부품용 발열체 형성기술
조남인 ,  김민철 한국반도체장비학회지 2003.01 학술저널
열교환 부품용 발열체 형성기술 개발
조남인 ,  남형진 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2003.01 학술대회자료

초록· 키워드

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We present a formation technique of thin film heater for heat transfer components. Thin film structures of Cr-Si have been prepared on top of alumina substrates by magnetron sputtering. More samples of Mo thin films were prepared on silicon oxide and silicon nitride substrates by electron beam evaporation technology. The electrical properties of the thin film structures were measured up to the temperature of $500^{\circ}C$. The thickness of the thin films was ranged to about 1 um, and a post annealing up to $900^{\circ}C$ was carried out to achieve more reliable film structures. In measurements of temperature coefficient of resistance (TCR), chrome-rich films show the metallic properties; whereas silicon-rich films do the semiconductor properties. Optimal composition between Cr and Si was obtained as 1 : 2, and there is 20% change or less of surface resistance from room temperature to $500^{\circ}C$. Scanning electron microscopy (SEM) and Auger electron spectroscopy (AES) were used for the material analysis of the thin films.
#Electron-beam Evaporation #Magnetron Sputtering #Thin Films #Semiconductor Thermal Processing #Surface Resistance #Scanning Electron Microscopy #SEM) #Auger Electron Spectroscopy #AES)

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