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학술저널
저자정보
장지근 (단국대학교 전자컴퓨터학부) 황용운 (단국대학교 전자컴퓨터학부) 조재욱 (단국대학교 전자컴퓨터학부) 이상열 (단국대학교 전자컴퓨터학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제6호
발행연도
2003.1
수록면
389 - 393 (5page)

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The effect of antireflection layer on the reduction of optical loss has been investigated in Si photodiodes detecting red light with central wavelength of 670 nm. The theoretical analysis showed minimum reflection loss of 6% for the $SiO_2$thickness of about $1100∼1200\AA$ in the $SiO_2$-Si system with the single antireflection layer and no reflection loss for the X$N_3$N$_4$$SiO_2$thickness of $2000\AA$/$1200\AA$ in the $Si_3$$N_4$$SiO_2$-Si system with double antireflection layer. In our experiments, Si photodiodes with the web-patterned $p^{＋}$-shallow diffusion region were fabricated by bipolar IC process technology and the devices were classified into three kinds according to the structure of $Si_3$$N_4$/$SiO_2$antireflection layer. The fabricated devices showed maximum spectral response in the optical spectrum of 650∼700 nm. The average photocurrents of the devices with the $Si_3$$N_4$$SiO_2$thickness of $1000\AA$/X$SiO\AA$, and $2000\AA$$1800\AA$ under the incident power, of -17 dBm were 3.2 uA, 3.5 uA and 3.1 uA, respectively.
#Si photodiode #antireflection layer $ #{SiO_2}, {Si_3}{N_4}/{SiO_2})$ #reflectance #photocurrent

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