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자료유형
학술저널
저자정보
장지근 (단국대학교 전자컴퓨터학부) 임용규 (단국대학교 전자컴퓨터학부) 정진철 (단국대학교 전자컴퓨터학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제5호
발행연도
2003.1
수록면
313 - 316 (4page)

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The new epitaxial base cell as a high efficiency Si solar cell was fabricated and the effect of buried contact on the cell characteristics was investigated. In our experiments, the cell with buried contact showed the open circuit voltage of 0.62 V, the short circuit current of 40 mA, the fill factor of 0.7, and the efficiency of 10% under the incident light of AM-1 100 ㎽/$\textrm{cm}^2$. The insertion of buried contact in the epitaxial base structure brought the fabricated cell to the efficiency improvement of about 33%. The cell proposed in this paper has the structural superiority in the fabrication of high efficiency solar cell due to the carrier drift transport in the optical absorption region and the formation of back surface field by $p^{－}$ $p^{+}$ epitaxial base, and the reduction of emitter series resistance by n＋ buried contact.
#solar cell #epitaxial base #buried contact #efficiency #series resistance

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