MOCVD법과 MOD법으로 제작된 TaO 박막의 열처리 온도에 따른 유전특성연구

강필규; 진정근; 변동진; 배재준; 남산

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자료유형: 학술저널

저자정보: 강필규 (고려대학교 재료공학과) 진정근 (고려대학교 재료공학과) 변동진 (고려대학교 재료공학과) 배재준 (고려대학교 재료공학과) 남산 (고려대학교 재료공학과)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제12호

발행연도: 2003.1

수록면: 801 - 805 (5page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (3)

2003

MOCVD법과 MOD법으로 제작된 TaO 박막의 열처리 온도에 따른 유전특성연구

강필규 , 진정근 , 변동진 외 2명 한국재료학회지 2003.01 학술저널

CVD법으로 제작한 $_{(1-x)}Ta_2O_{5-x}TiO_2$ 박막의 열처리 온도에 따른 특성변화

강필규 , 진정근 , 강호재 외 3명 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

열처리 온도에 따른 $Ta_2O_5$ 박막의 특성변화

강필규 , 진정근 , 노대호 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

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To explore the annealing temperature dependence of dielectric properties $Ta_2$$O_{5}$ thin films were prepared by MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) and MOD(metal-organic decomposition). The $Ta_2$$O_{5}$thin films fabricated MOCVD and MOD were annealed in $O_2$at temperature between 600 and 90$0^{\circ}C$. The measured dielectric constant of both films at 100 KHz was the highest value at $650^{\circ}C$ and decreased with increasing annealing temperature above $650^{\circ}C$. Plane-view SEM image showed that the boundary seems to be crack broke out with increasing annealing temperature. It was confirmed that outbreak of boundary influenced a decrease of dielectric constant with increasing annealing temperature. The leakage current density increased with increasing annealing temperature.

#${Ta_2}{O_5}$ #MOD #MOCVD

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