A Study on the Built-In Self-Test for AC Parameter Testing of SDRAM using Image Graphic Controller

Park, Sang-Bong; Park, Nho-Kyung; Kim, Sang-Hun

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자료유형: 학술저널

저자정보: Park, Sang-Bong (Dept. of Information & Telecommunication Engineering Semyung Univ.) Park, Nho-Kyung (Dept. of Information & Telecommunication Engineering Hoseo Univ.) Kim, Sang-Hun (Control & Measurement Engineering Han kyung Univ.)

저널정보: 한국음향학회 한국음향학회지 한국음향학회지 제20권 제1호

발행연도: 2001.1

수록면: 14 - 19 (6page)

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We have proposed BIST method and circuit for embedded 16M SDRAM with logic. It can test the AC parameter of embedded 16M SDRAM using the BIST circuit capable of detecting the address of a fail cell installed in an Merged Memory with Logic(MML). It generates the information of repair for redundancy circuit. The function and AC parameter of the embedded memory can also be tested using the proposed BIST method. It is possible to test the embedded SDRAM without external test pin. The total gate of the BIST circuit is approximately 4,500 in the case of synthesizing by 0.25μm cell library and is verified by Verilog simulation. The test time of each one AC parameter is about 200ms using 2Y-March 14n algorithm.

#BIST #SDRAM #MML #Verilog classification scheme:1-6, 1-7

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Park, Sang-Bong

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Park, Nho-Kyung

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Kim, Sang-Hun

소속기관 Speech and Language Information Research Department Electronics and Telecommunications Research Institute

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 정보통신공학

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