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저자정보
정인일 (수원대학교 공과대학 화공생명공학과) 김주원 (수원대학교 공과대학 화공생명공학과) 이상윤 (연세대학교 공과대학 화학공학과) 김우식 (연세대학교 공과대학 화학공학과) 유종훈 (수원대학교 공과대학 화공생명공학과) 임교빈 (수원대학교 공과대학 화공생명공학과)
저널정보
한국화학공학회 화학공학 화학공학 제43권 제1호
발행연도
2005.1
수록면
27 - 32 (6page)

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본 연구에서는 다양한 공용매로 변형된 초임계 이산화탄소를 이용하여 웨이퍼 표면에 존재하는 이온주입 포토레지스트(IIP, ion-implanted photoresist) 및 잔류 불순물의 제거 공정을 97, 148, $200^{\circ}C$의 온도와 200, 300, 400 bar의 압력조건에서 수행하였다. 이온주입 포토레지스트는 순수 초임계 이산화탄소에 의해 제거되지 않았으나 팽윤(swelling)되는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 단일 공용매 및 비양성자성 용매들의 혼합 공용매로 변형된 초임계 이산화탄소 시스템은 이온주입 포토레지스트를 팽윤시키나, 제거에 효과적이지 못하였다. 그러나 DMSO에 DIW가 혼합된 혼합 공용매(5%, v/v)로 변형된 초임계 이산화탄소 시스템은 $97^{\circ}C$, 200 bar의 온도, 압력 조건에서 30분 동안 세정 실험을 수행한 결과 이온 주입 포토레지스트의 제거에 효과적이었다(약 80%). 본 연구에서 사용된 혼합 공용매로 변형된 초임계 이산화탄소 시스템은 플라즈마 애싱(ashing) 및 산과 용매가 기본이 되는 습식 세정 방법의 대안으로서 화학액의 사용과 폐수를 감소시킬 수 있다.
#Supercritical Cleaning #Ion-implanted Photoresist #Dry Cleaning

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