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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Kim, Hong-Bae (School of Electronic and Information Engineering, Cheongju University) Oh, Teresa (School of Electronic and Information Engineering, Cheongju University)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제5권 제1호
발행연도
2006.1
수록면
21 - 25 (5page)

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To improve the performance of organic thin film transistor, we investigated the properties of gate insulator's surface according to the leakage current by I-V measurement. The surface was treated by the dilute n-octadecyltrichlorosilane solution. The alkyl group of n-octadecyltrichlorosilane induced the electron tunneling and the electron tunneling current caused the breakdown at high electric field, consequently shifting the breakdown voltage. The 0.5% sample with an electron-rich group was found to have a large leakage current and a low barrier height because of the effect of an energy barrier lowered by, thermionic current, which is called the Schottky contact. The surface properties of the insulator were analyzed by I-V measurement using the effect of Poole-Frankel emission.
#FN tunneling current #Schottky contact #Pools-Frankel effect #OTS #leakage current

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