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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박진우 (한양대학교 금속재료공학과) 박진구 (한양대학교 금속재료공학과) 김기섭 (동우 화인 켐[주]) 송형수 (동우 화인 켐[주])
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제9권 제9호
발행연도
1999.1
수록면
872 - 877 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1999

계면 활성제 첨가한 암모니아수의 소수성 실리콘 웨이퍼와의 반응 세정 효과
박진우 ,  박진구 ,  김기섭 외 1명 한국재료학회지 1999.01 학술저널

1997

계면 활성제 첨가한 암모니아수의 실리콘 웨이퍼와의 반응 및 세정 효과
박진우 ,  한정훈 ,  박진구 외 2명 한국재료학회 학술발표대회 1997.01 학술대회자료

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본 연구에서는 NH(sub)4OH에 계면 활성제를 첨가한 세정액의 특성 및 세정 효과를 H(sub)2O(sub)2가 첨가된 NH(sub)4OH 세정액과 비교 연구하였다. NH(sub)4OH에 계면 활성제를 첨가한 경우 용액의 pH 및 산화 환원전위(Eh) 는 NH(sub)4OH의 값과 거의 유사하고 H(sub)2O(sub)2를 첨가한 경우에 pH는 감소하고 Eh는 증가하는 경향을 보였다. 표면장력은 계면 활성제를 첨가한 경우 약 72 dynes/cm에서 약 38dynes/cm로 감소하였으나 H(sub)2O(sub)2를 첨가한 경우에는 NH\ulcornerOH 용액과 비교 거의 변화가 없었다. 실리콘 웨이퍼의 식각 속도를 측정한 결과 H(sub)2O(sub)2나 계면 활성제를 첨가하지 않은 초순수와 1 : 5(NH(sub)4OH : H(sub)2O(sub)2)의 부피비의 NH(sub)4OH용액이 첨가한 용액에 비해 최소 50배 이상의 높은 식각 속도를 보였다. 파티클 제거 실험에서 H(sub)2O(sub)2가 첨가된 NH(sub)4OH 세정액은 실험에 사용한 실리콘 표면위의 직경 0.67$\mu\textrm{m}$의 PSL파티클을 세정액의 온도와 무관하게 잘 제거하였으나 계면 활성제를 첨가한 NH\ulcornerOH경우에 상온에서는 파티클을 제거할 수 없었으나 온도를 5$0^{\circ}C$와 8$0^{\circ}C$로 증가시킨 경우 H(sub)2O(sub)2가 첨가된 NH(sub)4OH와 유사한 세정 효과를 나타내었다.

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