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이 논문의 연구 히스토리 (12)
1996
1994
1993
Bi0.5Sb1.5Te₃ / Bi₂Te2.4Se0.6 접합 박막열전재의 특성
김일호
,
이동희
한국진공학회 학술발표회초록집
1993.07
학술대회자료
Bi - Te - Sb 계 열전박막소자의 제조와 특성
김일호
,
이동희
한국진공학회 학술발표회초록집
1993.02
학술대회자료
$Bi_{0.5}Sb_{1.5}Te_{3}$ 박막의 열전물성에 미치는 어닐링 효과
김일호
,
이동희
한국재료학회 학술발표대회
1993.01
학술대회자료
$(Bi,Sb)_{2}(Te,Se)_{3}$ 열전재의 박막화에 관한 연구
김일호
,
이동희
한국재료학회 학술발표대회
1993.01
학술대회자료
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In the fabrication processes of thin film thermoelectrics, a subsequent annealing treatment is inevitable to reduce the defects and residual stresses introduced during the film growth, and to make the uniform carrier concentration of the film. However, the diffusion-induced atomic redistribution and the broadening of p/n junction region are expected to affect the thermoelectric properties of thin film modules. The present study intends to investigate the diffusion at the p/n junctions of thermoelectric thin films and to relate it to the property changes. The film junctions of p-type(Bi0.5Sb1.5Te3)and n-type(Bi2Te2.4Se0.6)were prepared by the flash evaporation method. Aluminum thin layer was employed as a diffusion barrier between p-and n-type films of the junction. This was found to be an effective barrier by showing a negligible diffusion into both type films. After annealing treatment, the thermoelectric properties of p/n couples with aluminum barrier layer were accordingly retained their properties without any deterioration.
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1998 .01
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