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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
주재현 (서울대학교 공과대학 금속공학과) 주승기 (서울대학교 공과대학 금속공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제5권 제5호
발행연도
1995.1
수록면
518 - 524 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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BST 박막을 Pt/Si$O_{2}$/Si 기판위에 co-sputtering 방법으로 형성할 때 열처리 조건이 BST 박막의 결정성과 전기적 특성에 미치는 영향에 관하여 연구하였다. BST 박막의 특성은 급속 열처리나 관상로 열처리과 같은 후열처리 온도보다 증착시의 기판온도에 따라서 민감하게 변화하였고, 기판 온도를 55$0^{\circ}C$로 하여 증착할대 Perovskite상이 가장 안정적으로 성장하여 유전율 1100, 유전손실계수 0.02로 우수한 유전특성을 나타내는 막을 형성할 수 있었다. BST 박막은 기판온도를 증가하면 정합에너지와 표면에너지를 최소로하는 (111) 방향으로 우선방위를 나타내었고 결정립의 조대화 현상으로 누설전류가 증가하였다.

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