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한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제16권 제3호
발행연도
2005.3
수록면
253 - 259 (7page)

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본 논문에서는 고가의 단결정 기판 대신에 저가의 실리콘 기판을 이용한 인터디지탈 구조의 BaSrTiO3(BST) 박막 가변 커패시터를 제안하였다. 저가의 실리콘 기판 위의 BST 박막은 PLD 장비를 이용하여 증착하였으며, 제작된 가변 커패시터는 4 GHz까지 측정되었다. 또한 최대 인가 전압은 50 V이며, 5 kV/cm 조건에서 약 30 % 정도의 가변율을 얻는다. 저가의 실리콘 기판 위에 BST 박막을 증착, 커패시터를 구현함으로써 BST 박막을 이용한 가변 소자들을 집적화할 수 있는 가능성을 보였다.

목차

요 약

Abstract

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. BST 박막 공정 및 전극 형성

Ⅲ. RF 특성 측정

Ⅳ. 결 론

참고문헌

저자소개

참고문헌 (12)

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, jul.1964. , Quality of a ferroelectric material 12 : 440 ~ 445 google schola , jan.200 , Tunable barium strontium titanate thin film capacitors for RF and microwave application 12 (1) : 3 ~ 5 google schola , dec.2002. , A wide-bandwidth reflection-type phase shifter at S-band using coated substrate 50 (12) : 2903 ~ 2909 google schola , Sep.2002. , Design of tunable band-pass filters and phase shifters using BST thin film 1 : 211 ~ 214 google schola , 1997. , Thin films multilayer conductor, ferroelectric tunable microwave components for communication application 1 : 231 ~ 246 google schola

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