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자료유형
학술저널
저자정보
Kim, H.N (Department of Metallurgical Engineering, Yonsei University) Kwak, J.S. (Department of Metallurgical Engineering, Yonsei University) Baik, H.K. (Department of Metallurgical Engineering, Yonsei University) Lee, J.L. (Semiconductor Technology Division, ETRI) Shin, D.W. (Department of Materials Science and Engineering, POSTECH) Park, C.G. (Department of Materials Science and Engineering, POSTECH)
저널정보
한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제2호
발행연도
1995.1
수록면
899 - 903 (5page)

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We investigate PdGe and NiGe based ohmic contacts to n-GaAs by comparison between the PdGeTiAu contact and NiGeTiAu ohmic contact under same experimental condition. The minimum contact resistance of PbGeTiAu contact is considerably lower than that of NiGeTiAu contact. In addition, PdGeTiAu contact has much wide processing windows for annealing temperature as well as annealing time. X-ray diffraction results show that formation temperature of germanide(PbGe and NiGe) strongly influences electrical properties of the contacts.

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