FORMATION MECHANISM OF EPITAXIAL COS$i_2$ USING Co/Ti/Si SYSTEM

Kim, Kim, G.B.; Yoon, Yoon, D.S.; Baik, Baik, H.K.

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자료유형: 학술저널

저자정보: Kim, Kim, G.B. (Department of Metallurgical Engineering, Yonsei University) Yoon, Yoon, D.S. (Department of Metallurgicals Science and Engineering) Baik, Baik, H.K. (Department of Metallurgicals Engineering, Kangwoen National University)

저널정보: 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제2호

발행연도: 1995.1

수록면: 857 - 862 (6page)

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The formation mechanism of epitaxial $CoSi_2$film using Co/Ti/Si system have been investigated in terms of the thickness of an intermediate Ti layer and the annealing ambient, which vary the reaction barrier that controls the Co flux. In the case of thin Ti interlayer and annealing in nonreactive ambient(vacuum), the reaction barrier formed Ti interlayer is Ti(O, C) layer. Howeverm, in the presence of driving force of Ti outdiffusion(annealing in nitrogen ambient), the Ti interlayer transforms to the ternary silicide as reaction barrier due to the advanced Ti outdiffusion. These reaction barriers limit the Co flux and lead to the formation of $CoSi_2$ without the formation of an intermediate $Co-silicide(Co_2Si, \;CoSi)$.

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