SiH4/NH3/N2 및 SiH4/NH3/Ar 유량비율이 PECVD SiNx : H 박막의 특성에 미치는 영향 ( Effect of Flow Rate Ratios of SiH4/NH3/N2 and SiH4/NH3/Ar on the Properties of PECVD SiNx : H Films )

김용태 ,  김춘근 ,  민석기

전자공학회논문지

1988 .05

SiH₄-H₂계에서 유체유동이 Si의 화학증착에 미치는 영향

趙星昱 ,  李京雨 ,  曹映煥 외 1명

한국표면공학회지

1990 .09

Thermodynamic consideration to atomic layer deposition of $Ti_{0.83}Al_{0.17}N$ thin films from $AlCl_3$ and $TiCl_4$ Precursors

Lee ,  Yong-Ju ,  Kang 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2002 .01

원료물질에 따른 실리콘 질화막의 원자층 증착 특성 비교

이원준 ,  이주현 ,  이연승 외 2명

한국재료학회지

2004 .01

Atomic layer deposition of $Ti_2O$ thin films using $NH_3$ gas as a non-oxidizing reactant gas.

권세훈 ,  김성욱 ,  강상원

한국재료학회 학술발표대회

2007 .01

Atomic Layer Deposition for Displays Applications

최동원 ,  박진성

인포메이션 디스플레이

2013 .01

SiH₄ 가스의 에너지 분포함수 관한 연구

성낙진 ,  김상남

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .07

Ar/N₂/SiH₄/NH₃ 유도 결합형 플라즈마의 N₂ 함량에 따른 플라즈마 특성 분석

서권상 ,  한문기 ,  김동현 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2016 .07

유체 시뮬레이션을 이용한 N₂/SiH₄/NH₃ 유도 결합형 플라즈마 특성 연구

서권상 ,  김동현 ,  이호준

대한전기학회 학술대회 논문집

2016 .10

텅스텐 플러그 CVD 공정에서 SiH4 Soak의 영향

이우선 ,  서용진 ,  김상용 외 1명

전기전자재료학회논문지

2003 .01

Characterization of Thin Films deposited at Low Temperature by using Atomic Layer Deposition and E-beam Evaporation

Jeong Hwan Kim ,  Sung-Woong Lee ,  Jae-Sung Yoo 외 1명

한국생산제조학회 학술발표대회 논문집

2014 .09

연구용 초소형 원자층 층착 장치 개발

이재혁 ,  최형종 ,  한권덕 외 3명

한국정밀공학회 학술발표대회 논문집

2018 .05

PECVD 질화막 증착시 SiH₄/NH₃ 유량비가 비휘발성 MNOS 기억소자의 특성에 미치는 영향

이상배 ,  이근혁 ,  이형옥 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1992 .07

A Novel Atomic Layer Deposited Al₂O₃ Film with Diluted NH₄OH for High-Efficient c-Si Solar Cell

Sung-Kwen Oh ,  Hong-Sik Shin ,  Kwang-Seok Jeong 외 7명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2014 .02

SiH₄/H₂ 혼합기체를 Multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구

김태환 ,  김동현 ,  이호준

전기학회논문지

2014 .02

증착 압력이 a-Si:H막의 전도도와 광학적 특성에 미치는 영향

전법주 ,  정일현

공업화학

1999 .01

플라즈마 강화 원자층 증착법에 의한 TaN_x 박막의 전기 전도도 조절

류성연 ,  최병준

한국재료학회지

2018 .01

Ti-Si-C, Ti-B-C 코팅막 내의 증착온도에 따른 미세구조와 기계적 물성 변화

허수정 ,  옥정태 ,  김광호

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2005 .05