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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제11호
발행연도
2006.1
수록면
1,005 - 1,009 (5page)

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High quality three-dimensional (3D) heterostructures were constructed by selective area (SA) molecular beam epitaxy (MBE) using a specially patterned GaAs (001) substrate to improve the efficiency of carrier transport. MBE growth parameters such as substrate temperature, Ⅴ/Ⅲ ratio, growth ratio, group Ⅴ sources (As2, As4) were varied to calibrate the selective area growth conditions and the 3D GaAs-AlGaAs heterostructures were fabricated into the ridge type and the V-groove type. Scanning micro-photoluminescence (-PL) measurements and the following analysis revealed that the gradually (adiabatically) coupled 1D-2DEG (electron gas) field effect transistor (FET) system was successfully realized. These 3D-heterostructures are expected to be useful for the realization of high-performance mesoscopic electronic devices and circuits since it makes it possible to form direct ohmic contact onto the (quasi) 1D electron channel.
#3D-heterostructures #Nanowire #Field-effect transistor #Molecular beam epitaxy

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참고문헌 (13)

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/ 1989. / Conductance oscillations periodic in the density of a one-dimensional electron gas 62 : 583 ~ google schola / 1997. / Gate controlled coulomb blockade effects in the conduction of a silicon quantum wire 81 : 2699 ~ google schola / 1999. / Coulomb blockade in quasimetallic silicon - on - insulator nanowires 75 : 3704 ~ google schola / 2000. / Double-dot charge transport in Si single-electron/hole transistors 76 : 1591 ~ google schola / 2001. / Improvement of growth process to achieve high geometrical uniformity in InGaAs ridge quantum wires grown by selective MBE on patterned InP substrate 40 : 3003 ~ google schola

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