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저자정보
진성언 (고려대학교 신소재공학과) 최종문 (고려대학교 신소재공학과) 이도한 (고려대학교 신소재공학과) 이승무 (고려대학교 신소재공학과) 변동진 (고려대학교 신소재공학과) 정택모 (한국화학연구원) 김창균 (한국화학연구원)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2009년도 추계학술발표대회
발행연도
2009.1
수록면
291 - 291 (1page)

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반도체 공정에서의 금속 배선 공정은 매우 중요한 공정 중 하나이다. 기존에 사용되던 알루미늄이 한계에 다다르면서, 대체 재료로 사용되고있는 구리는 낮은 비저항, 높은 열전도도, 우수한 electromigration(EM)저항특성 등을 바탕으로 차세대 nano-scale집적회로의 interconnect application에 적합한 금속재료로서 각광받고 있다. Electroplating을 위한 구리 seed layer CVD 공정은 타 공정에 비해 step coverage가 우수한 막을 증착할 수 있어 고집적 소자의 구현이 가능하다. 본 연구에 이용된 2가 전구체 Cu(dmamb)2는 높은 증기압과 높은 활성화 에너지를 가짐으로서 열적안정성 및 보관안정성이 우수하며, 플루오르를 함유하지 않아 친환경적이다. 구리 증착 전 기판에 plasma 처리를 하면 표면 morphology가 변함에 따라 표면 에너지가 변화하고, 이는 구리의 2차원 성장에 유리하게 작용할 것으로 여겨진다. Plasma의 조건변화에 따른 기판의 morphology 변화 및 성막된 구리의 특성 변화를 분석하였다.
#구리 #박막공정 #전처리 #CVD #plasma

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