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저자정보
Jung, Sung-Wook (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) Choi, Byeong-Deog (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) Yi, Jun-Sin (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2008.1
수록면
911 - 913 (3page)

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In this work, nonvolatile memory (NVM) devices for system on panel of flat panel display (FPD) were fabricated using low temperature polycrystalline silicon (LTPS) thin film transistor (TFT) technology with an oxide-nitride-oxynitride (ONOn) stack structure on glass. The results demonstrate that the NVM devices fabricated using the ONOn stack structure on glass have suitable switching characteristics for data storage with a low operating voltage, a threshold voltage window of more than 1.8 V between the programming and erasing (P/E) states after 10 years and its initial threshold voltage window (${\Delta}V_{TH}$) after $10^5$ P/E cycles.
#Nonvolatile memory #plasma treatment #system on panel #glass

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