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Park, Seong-Jin (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) Kang, Sang-Hoon (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) Ku, Yu-Mi (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) Choi, Jong-Hyun (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University) Jang, Jin (Advanced Display Research Center, Kyung Hee University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
발행연도
2004.1
수록면
1,019 - 1,022 (4page)

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High performance p-ch poly-Si TFTs with excellent stability were developed. By using a frequency doubled DPSS CW laser, the a-Si on glass could be crystallized into one dimensional single crystalline silicon named as a sequential lateral crystallization (SLC) region. We fabricated p-ch TFTs on SLC region and the typical characteristic values of the TFTs were $u_{fe}$ = 180 $cm^2$/Vs, $V_{th}$ = -3 V, S.S. = 0.5 V/dec, and $I_{off}$ = 1 pA/um@ $V_d$ = -10V. It is found that the TFTs are very stable after bias stresses such as negative and positive gate biases, hot carrier bias and high current bias. These results indicate that the poly-Si in SLC region is suitable for system on glass (SOG) application.

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