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저자정보
조유정 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 한길진 (한국기술교육대학교 신소재공학과) 오순영 (충남대학교 전자공학과) 김용진 (충남대학교 전자공학과) 이원재 (충남대학교 전자공학과) 이희덕 (충남대학교 전자공학과) 김영철 (한국기술교육대학교 신소재공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 춘계 학술대회
발행연도
2005.1
수록면
215 - 218 (4page)

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Co-interlayer와 $SiO_2$ 상부막이 nickel germanosilicide 박막의 열안정성에 미치는 영향을 연구하였다. Nickel germanosilicide는 SiGe 기판 위에 Ni(8nm)/TiN(25nm), Ni(6m)/Co(2nm)/TiN(25nm)을 증착하여 각각 one step RIP($500^{\circ}C$)와 two step RTP(500. $700^{\circ}C$)로 형성되었다. 50과 10nm 두께의 $SiO_2$ 박막을 실리사이드 위에 증착하고, 550, 600, $650^{\circ}C$에서 30분간 열처리한 후 면저항 값을 측정하여 열안정성을 평가하였다.

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