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이준하 (상명대학교 컴퓨터시스템공학과 정보디스플레이연구소) 이흥주 (상명대학교 컴퓨터시스템공학과 정보디스플레이연구소) 조현찬 (한국기술교육대학교 정보기술공학부) 이강환 (한국기술교육대학교 정보기술공학부) 권오근 (세명대학교 인터넷정보학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 춘계 학술대회
발행연도
2005.1
수록면
63 - 66 (4page)

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A soft error rate neutrons is a growing problem for integrated circuits with technology scaling. In the acceleration test with high-density neutron beam, a latch-up prohibits accurate estimations of the soft error rate (SER). This paper presents results of analysis for the latch-up characteristics in the circumstance corresponding to the acceleration SER test for SRAM. Simulation results, using a two-dimensional device simulator, show that the deep p-well structure has better latch-up Immunity compared to normal twin and triple well structures. In addition, it is more effective to minimize the distance to ground power compared with controlling a path to the $V_{DD}$ power.

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