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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.1
- 수록면
- 133 - 136 (4page)
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The CeO$_2$ thin films were deposited on the biaxially textured Ni substrates by MOCVD process. The (200) oriented CeO$_2$ films were formed at the deposition temperature(Td) of 500~52$0^{\circ}C$, the oxygen partial pressure(PO2) of 0.90~3.33 torr and the deposition time(t) of 3~25 min. The surface roughness and gain size rapidly increased at Td $\geq$ 52$0^{\circ}C$ due to the grain growth. The surface roughness also increased as the deposition time increased. The optimized deposition conditions of the CeO$_2$ films for the YBCO coated conductor were Td= 500~51$0^{\circ}C$, PO2= 2.30 torr and t= 10~12 min.
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