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저자정보
이종범 (Korea Polytechnic University) 박신근 (Korea Polytechnic University) 김혜진 (Korea Polytechnic University) 문승현 (SuNAM Co.,Ltd) 이희균 (Korea Polytechnic University) 홍계원 (Korea Polytechnic University)
저널정보
한국초전도학회 Progress in superconductivity Progress in superconductivity 제11권 제2호
발행연도
2010.1
수록면
123 - 127 (5page)

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The properties of buffer layer for thermal and chemical stability in coated conductor is a very important issue. $CeO_2$ has desirable thermal and chemical stability as well as good lattice match. In this study, $CeO_2$ was deposited by electron beam deposition. The MgO(001) single crystal and LMO buffered IBAD substrate(LMO/IBAD-MgO/$Y_2O_3/Al_2O_3$/Hastelloy) were used as substrates, which have $\Delta\phi$ values of ${\sim}8.9^{\circ}$. The epitaxial $CeO_2$ films was deposited with high deposition rate of $12{\sim}16\;{\AA}/sec$. During deposition, the change of oxygen partial pressure(${\rho}O_2$) does not cause change in c-axis texture. In case of $CeO_2$ on MgO single crystal, the substrate temperature was optimized at $750^{\circ}C$ with superior $\Delta\phi$ and $\Delta\omega$ value. Otherwise, In case of LMO buffered IBAD substrate, It was optimized at $650^{\circ}C$ with increasing its deposition thickness of $CeO_2$, which was finally obtained with best $\Delta\phi$ value of $5.5^{\circ}$, $\Delta\omega$ value of $2^{\circ}$ and Ra value of 2.2 nm.
#CeO2 buffer layer #self epitaxy effect #electron beam evaporation

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