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학술대회자료
저자정보
김대원 (고려대학교) 김대종 (고려대학교) 성만영 (고려대학교) 강이구 (극동대학교) 이동희 (수원대학교)
저널정보
한국컴퓨터산업교육학회 한국컴퓨터산업교육학회 학술대회 한국컴퓨터산업교육학회 2003년도 제4회 종합학술대회 논문집
발행연도
2003.1
수록면
71 - 74 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2004

EST(Emitter Switched Thyristor) 소자의 트랜치 전극에 의한 특성 변화 연구
김대원 ,  성만영 ,  강이구 전기전자재료학회논문지 2004.01 학술저널

2003

트랜치 전극을 가진 Emitter Switched Thyristor의 전기적 특성 변화
김대원 ,  김대종 ,  성만영 외 2명 한국컴퓨터산업교육학회 학술대회 2003.01 학술대회자료

초록· 키워드

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A vertical trench electrode type EST has been proposed in this paper. The proposed device considerably improve the snap-back effect which leads to a lot of problem of device applications. In this paper, the vertical dual gate Emitter Switched Thyristor(EST) with trench electrode has been proposed for improving snap-back effect. It is observed that the forward blocking voltage of the proposed device is 800V. The conventional EST of the same size were no more than 633V. Because the proposed device was constructed of trench-type electrode, the electric field moved toward trench-oxide layer, and the punch through breakdown of the proposed EST is occurred at latest.

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