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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.8
- 수록면
- 1,221 - 1,224 (4page)
- DOI
- 10.5370/KIEE.2020.69.8.1221
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Diamond semiconductor technologies are suitable for power devices due to high breakdown field and high thermal conductivity. The scattering is important because it reduced the mobility and limited the on current. Here, we present numerical simulations of a p-type diamond MOSFET using Lombardi mobility model which considered the phonon, surface roughness, and Coulomb scattering-dependent hole mobility. We designed a hydrogen–terminated diamond MOSFET which had the p-type diamond layer and two-dimensional hole gas(2DHG) channel. When the gate–source and drain–source voltage were -1 and -10 V, respectively, the on current with surface roughness, Coulomb, and phonon scattering were 355, 355, and 133 mA/mm, respectively. The phonon scattering by the electric field was the most dominant factor which decreased the hole mobility. The reduction in the hole mobility occurred considerably beneath the gate oxide near drain edge where the electric field concentrated.
목차
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
C. Hitckcock / 2020 / Degradation of forward current density with increasing blocking voltage in diamond Schottky-pn diodes / Diam. Relat. Mater 104:107736
Y. Fu / 2018 / Characterization and modeling of hydrogen-terminated MOSFETs with single-crystal and polycrystalline diamond / IEEE Electron Device Lett 39(11):1704~1707
X. Zhou / 2015 / A new capacitance-voltage model for hydrogen-terminated diamond Mosfet / ECS Trans 66(1):287~296
K. Hirama / 2012 / Thermally Stable Operation of H-Terminated Diamond FETs by NO2 Adsorption and Al2O3Passivation / IEEE Electron Device Lett 33(8):1111~1113
R. Hathwar / 2016 / Temperature dependent simulation of diamond depleted Schottky PIN diodes / J. Appl. Phys 119:225703
Y. Fu / 2018 / Characterization and modeling of hydrogen-terminated MOSFETs with single-crystal and polycrystalline diamond / IEEE Electron Device Lett 39(11):1704~1707
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K. Hirama / 2012 / Thermally Stable Operation of H-Terminated Diamond FETs by NO2 Adsorption and Al2O3Passivation / IEEE Electron Device Lett 33(8):1111~1113
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