Numerical Study of Zn0.66Mg0.34Se/Zn0.74Cd0.26Se Bragg Refl ector: Normal and Oblique Incidence

N. Fakroun; A. Gueddim; D. Guibadj; N. Bouarissa

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자료유형: 학술저널

저자정보: N. Fakroun A. Gueddim D. Guibadj N. Bouarissa

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제20권 제6호

발행연도: 2019.1

수록면: 537 - 541 (5page)

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The feasibility of a distributed Bragg reflector (DBR) based on wide band gap II-VI semiconducting alloys is reported. The reflectivity spectra of a Zn 0.66 Mg 0.34 Se/Zn 0.74 Cd 0.26 Se DBR are calculated within the stratified medium theory using matrix representation. The composition x for each alloy is taken in such a manner to obtain a convenient difference between the respective refractive indices of each constituent material. Both normal and oblique incidence are considered. For both cases the effect of the number of pairs has been studied. We found out that the refl ectivity maximum is enhanced as the number of pairs increases. The DBR bandwidth is found to be dependent on the refractive indices diff erence. The reflectivity spectrum is shifted towards smaller wavelengths, and the Bragg wavelength is diminished as the angle of incidence is augmented.

참고문헌 (34)

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O. Maksimov / 2001 / Distributed Bragg reflectors based on (Zn, Cd, Mg)Se for use in the visible spectral range / Journal of Applied Physics 89(4):2202~2207

J.L. Jewell / 1991 / Vertical-cavity surface-emitting lasers: Design, growth, fabrication, characterization / IEEE Journal of Quantum Electronics 27(6):1332~1346

A. Gueddim / 2010 / Alloy composition dependence of 1.55 μm GaP1−xSbx/GaP0.2Sb0.8 / Phys. Scr 81:035703

Hirofumi Shimomura / 1996 / Growth of AlPSb and GaPSb on InP by gas-source molecular beam epitaxy / Journal of Crystal Growth 162(3-4):121~125

T. Anan / 1994 / Improved reflectivity of AlPSb/GaPSb Bragg reflector for 1.55 µm wavelength / Electronics Letters 30(25):2138~2139

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