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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제33권 제3호
발행연도
2020.1
수록면
169 - 172 (4page)

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In this paper, the effect of hot carrier injection on an n-bulk fin field-effect transistor (FinFET) is analyzed. The hot carrier injection method is applied to determine the performance change after injection in two ways, channel hot electron (CHE) and drain avalanche hot carrier (DAHC), which have the greatest effect at room temperature. The optimum condition for CHE injection is VG=VD, and the optimal condition for DAHC injection can be indirectly confirmed by measuring the peak value of the substrate current. Deterioration by DAHC injection affects not only hot electrons formed by impact ionization, but also hot holes, which has a greater impact on reliability than CHE. Further, we test the amount of drain voltage that can be withstood, and extracted the lifetime of the device. Under CHE injection conditions, the drain voltage was able to maintain a lifetime of more than 10 years at a maximum of 1.25 V, while DAHC was able to achieve a lifetime exceeding 10 years at a 1.05-V drain voltage, which is 0.2 V lower than that of CHE injection conditions.

목차

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참고문헌 (11)

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A. Chaudhry / 2004 / IEEE Trans. Device Mater. Reliab 4:99 Crossref 김지현 / 2008 / 이차원 양자 효과를 고려한 극미세 Double-Gate MOSFET 특성 분석 / 전자공학회논문지 - SD 45(10):15~22 dbpia 조원주 / 2007 / Fabrication of SOI FinFET Devices usingArsenic Solid-phase-diffusion / 전기전자재료학회논문지 20(5):394~398 dbpia J. H. Lee / 2012 / IDEC Newslatter 182:6 google schola D. James / 2012 / Proc. Proceedings of the IEEE 2012 Custom Integrated Circuits Conference :1 google schola

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