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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.20 No.1
- 발행연도
- 2020.2
- 수록면
- 8 - 11 (4page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2020.20.1.008
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In this paper, Effect of bottom electrode size on Ovonic Threshold Switch(OTS) characteristics has been investigated in W/SiTe/W selector device. We fabricated SiTe Ovonic Threshold Switch(OTS) with different bottom electrode contact totally 18 sizes(34 nm - 1921 nm) and studied the differences in the bottom electrode size I-V characteristics. Ovonic Threshold Switch(OTS) device showed on/off ratio (> 10<SUP>3</SUP> ) and the difference in t V value between 218 nm and 1414 nm size.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENT
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSION
REFRENCES
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
Wong, H-S. Philip, et al. Phase change memory. Proceedings of the IEEE, Vol. 98, No. 12, pp. 2201-2227, Dec, 2010.
Aluguri, Rakesh, and Tseung-Yuen Tseng. Overview of selector devices for 3-D stackable cross point RRAM arrays. IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol. 4, No. 5, pp. 294- 306, Sep, 2016.
Ovshinsky, Stanford R., and Hellmut Fritzsche. Amorphous semiconductors for switching, memory, and imaging applications. IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 20, No. 2, pp. 91-105, Feb, 1973.
Govoreanu, Bogdan, et al. Thermally stable integrated Se-based OTS selectors with> 20 MA/cm 2 current drive,> 3.10 3 half-bias nonlinearity, tunable threshold voltage and excellent endurance. 2017 Symposium on VLSI Technology. IEEE, pp. T92-T93, June, 2017
Koo, Yunmo, et al. Simple binary Ovonic threshold switching material SiTe and its excellent selector performance for high-density memory array application. IEEE Electron Device Letters, Vol. 38, No. 5, pp. 568-571, May, 2017.
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Ovshinsky, Stanford R., and Hellmut Fritzsche. Amorphous semiconductors for switching, memory, and imaging applications. IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 20, No. 2, pp. 91-105, Feb, 1973.
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