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학술대회자료
저자정보
Seong-Beom Kim (Hanyang University) Yun-Heub Song (Hanyang University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2020년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2020.8
수록면
288 - 292 (5page)

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Phase Change Random Access Memory (PCM) with Ovonic Threshold Switch (OTS) has emerged as a candidate of Storage Class Memory (SCM). However, snapback phenomenon exists in the threshold switching of OTS selector that induces a rapid current called snapback current. This current degrades the read performance of PCM-OTS cell. In this study, an improved pre-charge sensing scheme with additional discharging path is introduced as a solution to reduce the effect of snapback current. The sensing scheme is verified using HSPICE. Several discharge paths are described. Adding discharge path reduces the energy consumption (17%, 12%), sensing time (8%,13%), and peak power level (13%,5%) as compared to the original discharging path.

목차

Abstract
I. Introduction
II. Experimental Detail
III. Results and Discussions
IV. Conclusion
참고문헌

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