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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.11
- 수록면
- 871 - 875 (5page)
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본 논문에서는 40-nm CMOS 전자소자를 이용하여 220～260 GHz 대역의 신호를 생성할 수 있는 주파수 체배기에 대한 설계가 제시되었다. 마이크로스트립 구조를 이용하여 입력단매칭, Marchand balun 설계, 중간단 매칭 및 출력단 매칭회로가 구현되었다. 입력 주파수 110～130 GHz 신호를 인가하였을 때, 주파수 체배기는 220～260 GHz 대역에서 –6.5～−13 dBm의 출력을 전달한다. 전원전압은 1.1 V이고, 소비전력은 단지 0.66 mW만 소모한다. 회로의 면적은 PAD를 포함하여 477μm×486μm이다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 설계
Ⅲ. 제작 및 측정
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (5)
참고문헌 신청
M. Urteaga / 2017 / InP HBT technologies for THz integated circuits / Proceedings of the IEEE 105(6):1051~1067
E. Ojefors / 2011 / Active 220- and 325-GHz frequency multiplier chains in an SiGe HBT technology / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 59(5):1311~1318
M. Abbasi / 2015 / 275～285 GHz balanced frequency quadrupler chain in 45 nm SOI CMOS / Electronics Letters 51(18):1424~1426
D. Shim / 2011 / 150GHz complementary anti-parallel diode frequency tripler in 130 nm CMOS / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 21(1):43~45
G. Y. Chen / 2013 / Design and analysis of a Ka-band monolithic high-efficiency frequency quadrupler using GaAs HBT-HEMT common-base/common-source balanced topology / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 61(10):3674~3689
E. Ojefors / 2011 / Active 220- and 325-GHz frequency multiplier chains in an SiGe HBT technology / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 59(5):1311~1318
M. Abbasi / 2015 / 275～285 GHz balanced frequency quadrupler chain in 45 nm SOI CMOS / Electronics Letters 51(18):1424~1426
D. Shim / 2011 / 150GHz complementary anti-parallel diode frequency tripler in 130 nm CMOS / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 21(1):43~45
G. Y. Chen / 2013 / Design and analysis of a Ka-band monolithic high-efficiency frequency quadrupler using GaAs HBT-HEMT common-base/common-source balanced topology / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 61(10):3674~3689
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